響應設備更新政策 | 半導體制造工藝、結構與表征解決方案
半導體制造工藝
電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2?鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損傷與原子等級的厚度精準控制更對納米等級柵槽的形貌達成完美的詮釋。
應用案例
全自動刻蝕和沉積設備在 3D Sensor 批量生產中的應用
原子層沉積（ALD）與原子層刻蝕（ALE）使碳化硅與氮化鎵功率器件更高效
提供?MicroLED?芯片制造解決方案
虛擬實境 ARVR 光學衍射組件制造技術?
篩選低閾值 FET，用于低功耗低溫電子器件
半導體結構與表征
摩爾“定律”在過去 50 年間持續推動半導體行業向器件小型化趨勢發展，對半導體材料、制造工藝和檢測技術提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技術已被廣泛應用于半導體器件的微區結構表征工作，如異物分析、無損膜厚測量、晶粒尺寸分析、應變表征、位錯類型及密度分析等。
應用案例
研究淀積金屬薄膜的晶粒尺寸及均勻性、織構
分析化合物半導體外延層中晶體學缺陷的密度
對半導體器件中的關鍵層進行高分辨率元素成像
快速分析不同位置薄膜生長表面形貌，提供后續工藝調整方向
檢測刻蝕前后表面微結構以及表面粗糙度的變化
檢測半導體晶圓的應力分布
GaN 晶體中的應力場?3D 拉曼成像
多功能328mm焦長光譜儀，配置UV-NIR探測器，可通過拉曼或者光致發光的方法對晶圓進行應力，翹曲以及缺陷檢測
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